Everspin科技公司并行MRAM芯片MR0A16AVYS35

2018-06-07 14:52:15

全球領先的離散和嵌入式磁阻隨機存取存儲器開發(fā)商和制造商Everspin科技公司(MRAM)，Everspin Technologies是一家開發(fā)和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。MRAM具有與標準隨機存取存儲器（RAM）類似的性能特征，同時還具有非易失性存儲器的持久性，這意味著如果從系統(tǒng)中移除電源，其不會丟失其電荷或數據。這一特性使MRAM適用于大量嵌入式應用，如需要性能和持久性的汽車和工業(yè)應用。

Everspin生產的并行MRAM 1Mbit產品型號為MR0A16AVYS35容量：1Mb，擁有35ns的讀/寫周期（無寫入延遲），數據保持期長達20年以上而不會丟失，并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護，以防止在非工作電壓期間寫入。用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素，Everspin Technologies提供MR0A16AVYS35，產品應用于工業(yè)，汽車，運輸和企業(yè)存儲市場。

產品型號如下：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵詞：Everspin

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2018-06-07 14:52:15

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