Everspin MR10Q010該存儲器1Mb串行MRAM具有四個串行I/O路徑，旨在提高讀/寫速度并減少時鐘周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括讀寫操作，其中在所有四個I/O上輸入地址和數(shù)據(jù)以減少時鐘周期。Everspin代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持及應用解決方案。
 
使用Everspin的專利MRAM技術(shù)，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生，寫入之間沒有延遲。支持標準串行外設(shè)接口(SPI)、四路SPI和四路外設(shè)接口(QPI)模式，時鐘頻率高達104MHz。所有三種模式下的讀取命令都支持XIP操作。MR10Q010 Quad SPI MRAM組織為131,072個8位字
 
Everspin MR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3vVdd電源，并設(shè)計為可在1.8v總線I/O上運行?？梢酝ㄟ^電平轉(zhuǎn)換器將MR10Q010連接到總線，從而使MR10Q010適應在3.3v數(shù)據(jù)總線上運行。線性穩(wěn)壓器可用于提供MR10Q010所需的1.8v電源。
 
特點
•高帶寬–以52MB/秒的速度讀取和寫入
•QuadI/O使用雙用途引腳來保持低引腳數(shù)
•在標準、單SPI模式和高速四SPI模式下運行
•具有四路地址輸入和四路I/O的快速四路讀寫
•用于下一代RAID控制器、服務器系統(tǒng)日志、存儲設(shè)備緩沖區(qū)以及嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)和程序存儲器
•數(shù)據(jù)是非易失性的，保留時間超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護
•無限寫入耐久性
•低電流睡眠模式
•雙3.3vVDD/1.8vVDDQ電源
•篡改檢測功能將檢測來自外部磁場的可能的數(shù)據(jù)修改。
•支持四外設(shè)接口(QPI)模式以增強原位執(zhí)行(XIP)操作的系統(tǒng)性能。
•MSL3級

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