MRAM技術(shù)的硬盤隨機(jī)性能炸裂
2018-01-16 14:33:23
Everspin基于MRAM技術(shù)的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤，雖然容量只有1-2GB，但是4K隨機(jī)性能高達(dá)150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。
NAND閃存是目前非易失性存儲芯片中的主流芯片，雖然這一年來的漲價(jià)、缺貨讓不少消費(fèi)者、廠商的心七上八下，，但是大家也沒有別的選擇。在新一代存儲芯片技術(shù)中，MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲器）被業(yè)界看好，因?yàn)樗瑫r(shí)具備SRAM的快速及非易失性閃存的特點(diǎn)，只不過目前的MRAM閃存大部分還處在研發(fā)階段，還沒有真正上市。Everspin公司日前宣布將于今年Q2季度上市基于MRAM技術(shù)的nvNITRO ES1GB、ES2GB硬盤，別看容量才1-2GB，但是4K隨機(jī)性能高達(dá)150萬IOPS，延遲只有6微秒，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于目前的企業(yè)級SSD硬盤。
目前MRAM技術(shù)大都是基于ST（Spin-transfer torque，自旋鈕轉(zhuǎn)換）技術(shù)，Everspin公司的nvNITRO硬盤也不例外，它基于該公司的256Mb DDR3 ST-MRAM芯片打造，目前實(shí)現(xiàn)的容量是1GB和2GB，分別使用32顆、64顆ST-MRAM芯片，接口則是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半長規(guī)格，支持NVMe標(biāo)準(zhǔn)。
官方通告中沒有提及隨機(jī)讀寫速度，只給出了4K QD=32隨機(jī)性能高達(dá)150萬IOPS，延遲則只有6微秒，這個(gè)指標(biāo)放在高端企業(yè)級SSD中也是非常強(qiáng)悍的，Aanandtech網(wǎng)站給出的兩個(gè)例子就是Intel最強(qiáng)企業(yè)級硬盤DC P3700延遲有20微秒，HGST企業(yè)級SSD Ultrastar SN260硬盤隨機(jī)性能也不過120萬IOPS。
根據(jù)Everspin公司所說，他們預(yù)計(jì)Q2季度正式推出nvNITRO硬盤，會有U.2、M.2等其他規(guī)格的產(chǎn)品，容量也會涵蓋512MB到8GB范圍。
除此之外，過段時(shí)間他們還會推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盤容量可以達(dá)到4-16GB了。
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NAND閃存 MRAM
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