我國(guó)將量產(chǎn)首批32層三維NAND閃存芯片
2018-04-18 11:31:22
位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)在本月11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這象征著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)第一批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年內(nèi)量產(chǎn)，填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器空白領(lǐng)域。
現(xiàn)在我國(guó)通用的存儲(chǔ)器基本全部都依靠進(jìn)口，國(guó)家存儲(chǔ)器基地在去年成功研發(fā)我國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由一千人的團(tuán)隊(duì)耗費(fèi)２年自主研發(fā)的芯片，這是我國(guó)在制造工藝上與國(guó)際高端水平最接近的主流芯片，這也許會(huì)讓我國(guó)進(jìn)入全球存儲(chǔ)芯片第一梯隊(duì)，強(qiáng)力提高“中國(guó)芯”在國(guó)際市場(chǎng)的地位。
據(jù)了解，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在2016年由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設(shè)，總投資高達(dá)240億美元，預(yù)計(jì)項(xiàng)目一期總產(chǎn)能將達(dá)到30萬(wàn)片／月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。
據(jù)悉，今年10月設(shè)備將點(diǎn)亮投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年底64層閃存產(chǎn)品將達(dá)到爬坡量產(chǎn)。未來(lái)十年，紫光集團(tuán)計(jì)劃至少還將投資1000億美元，相當(dāng)于平均每年投入100億美元，進(jìn)一步追趕上我國(guó)在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國(guó)家的距離。
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NAND閃存芯片
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